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已在Nature、圆舞起PRL、Adv.Funct.Mater.、Adv.Electron.Mater.、PRB、APL等期刊发表论文70余篇，获得国家发明专利授权5项。论文第一作者是川大研究生王焕明，向未晓磊通讯作者是川大向钢教授。

同时，南冠由于反常霍尔效应带来的测试困难，有关DMSs中载流子迁移率的研究也不多见。长期从事半导体材料与器件物理和磁学研究，军吕特别是半导体电子与自旋电子学的相关研究。图四、参演强磁场下的输运性能（a）对于AM2，在零磁场下电阻率的温度依赖性。

（c）退火样品AM1、冬残AM2、AM3和未退火样品M2的GIXRD模式。另一方面，闭幕为消除或减弱反常霍尔效应影响而进行的33T强磁场下的霍尔效应测试表明，闭幕由于拉伸应变诱导的能带结构调制，退火样品的空穴迁移率得到了极大提高，其最大值达到1000cm2V-1s-1。

另一方面，共跳第IV族半导体材料，包括硅（Si）、锗（Ge）和硅锗合金（SiGe）等，是传统半导体产业的主流材料之一。

其中，圆舞起SiGe合金因其两种元素Si和Ge可无限互溶，有利于调控元素比例以调控应力、能带结构和载流子迁移率，已应用于各类商业化高速电子器件。向未晓磊微鲸今年还成为中国新歌声在电视端的独家合作伙伴。

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